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IXFK/IXFX 48N50Q
IXFK/IXFX 44N50Q
60
54
48
Fig. 7. Input Adm ittance
80
70
60
Fig. 8. Transconductance
42
36
30
50
40
T J = -40oC
25oC
125oC
24
18
12
6
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
6
12
18
24
30
36
42
48
54
60
100
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
9
8
7
6
5
V DS = 250V
I D = 24A
I G = 10mA
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
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